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应力对AlGaN/GaN HEMT器件特性的影响研究
【出 处】
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电子科技大学
【发表日期】
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2018年01期
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GaN基材料具有禁带宽度大、击穿场强高、极化系数高、电子迁移率和电子饱和漂移速度高等一系列材料性能优势,是制备新一代高性能电力电子器件的优选材料,具有重要的应用前景。近年来,美国、日本和欧洲等发达国家和地区均将GaN基电力电子器件列入重大战略研究计划,并已取得了重要进展。AlGaN/GaN异质结界面处由极化效应产生的二维电子气所制备的高电子迁移率晶体管(HEMT)是目前主要应用的平面结构GaN基功
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