【摘 要】
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氧化锌（ZnO）是一种重要的II-IV族宽禁带直接带隙氧化物半导体，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，大于室温下热离化能(26meV)，激子在室温下能稳定存在。基于上述特性，ZnO可在透明导电电极、紫外发光二极管、半导体激光器、紫外光探测器等领域有广泛应用。ZnO本征缺陷的自补偿效应和低的受主杂质固溶度，使获得高质量的p型ZnO材料成为一个国际性难题，阻碍其在光电领域的应用。
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氧化锌（ZnO）是一种重要的II-IV族宽禁带直接带隙氧化物半导体，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，大于室温下热离化能(26meV)，激子在室温下能稳定存在。基于上述特性，ZnO可在透明导电电极、紫外发光二极管、半导体激光器、紫外光探测器等领域有广泛应用。ZnO本征缺陷的自补偿效应和低的受主杂质固溶度，使获得高质量的p型ZnO材料成为一个国际性难题，阻碍其在光电领域的应用。近几年，在科研工作者不懈努力下，p型掺杂工作取得了很大进展。目前关于p型ZnO研究较多的是采用V
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