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ZnO是一种宽禁带半导体材料，为六方晶体(纤锌矿)结构，与GaN的晶格结构相同。室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV左右，激子束缚能为60meV，是继GaN之后的又一理想的光电材料。本文利用直流磁控溅射法制备了表面平滑、结晶质量较好的ZnO薄膜。研究了氧分压、溅射功率、工作气压、基片温度、氮气气氛中退火处理以及掺杂对ZnO薄膜的表面形貌、结构及光学性能的影响，并讨论了ZnO薄膜的发光机制。随着基片温度的升高，氧分压、溅射功率的增大，ZnO薄膜的结晶质量先得到提高，