【摘 要】
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伴随着近年来自旋电子学的快速发展,人类对于电子自旋的认知不断走向深入,并在信息存储技术领域取得了广泛的应用。本文围绕自旋电子学中的垂直磁化磁性自旋阀和交换偏置作用的相关问题,主要开展了二方面研究：一是研究了[Co/Ni]多层膜的垂直各向异性,制备出垂直磁化赝自旋阀和有反铁磁层钉扎的偏置自旋阀；二是探讨了交换偏置作用对于垂直磁化薄膜热稳定性的影响问题。论文主要取得如下结果：我们探索出制备[Co/Ni
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伴随着近年来自旋电子学的快速发展,人类对于电子自旋的认知不断走向深入,并在信息存储技术领域取得了广泛的应用。本文围绕自旋电子学中的垂直磁化磁性自旋阀和交换偏置作用的相关问题,主要开展了二方面研究：一是研究了[Co/Ni]多层膜的垂直各向异性,制备出垂直磁化赝自旋阀和有反铁磁层钉扎的偏置自旋阀；二是探讨了交换偏置作用对于垂直磁化薄膜热稳定性的影响问题。论文主要取得如下结果：我们探索出制备[Co/Ni]n垂直各向异性多层膜结构的优化生长条件,分析了Co、Ni以及缓冲层Cu的厚度、[Co/Ni
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