铝原子掺杂氧化锌薄膜的制备与性能

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【摘要】

：

ZnO是一种直接带隙半导体材料,属于六方纤锌矿结构。由于(002)晶面的表面自由能最低,晶体有C轴择优取向的特性。作为一种直接带隙宽禁带半导体材料,ZnO最具潜力的应用是在光电器件领域。IIIA族元素Al, In, Ga等原子掺杂的ZnO透明导电膜作为一种重要的光电子信息材料也得到了广泛的研究,本文主要研究A1原子掺杂的ZnO薄膜,即ZAO薄膜。ZAO薄膜具有与ITO薄膜可比拟的光学、电学性质,而

【作者】

：

于芬

【发表日期】

：

2007年04期

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