【摘 要】
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本文利用脉冲激光沉积技术以TiN薄膜为缓冲层,在Si基底上外延生长了SrTiO3单晶薄膜。以SrTiO3/TiN/Si异质结为研究对象,对其光电性能进行了测试和分析,主要工作成果如下:1、
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本文利用脉冲激光沉积技术以TiN薄膜为缓冲层,在Si基底上外延生长了SrTiO3单晶薄膜。以SrTiO3/TiN/Si异质结为研究对象,对其光电性能进行了测试和分析,主要工作成果如下:1、通过优化制备参数,在Si基底上制备出了SrTiO3和TiN外延单晶薄膜;2、研究了SrTiO3/TiN/Si异质结的光电特性和光照位置敏感性。SrTiO3/TiN/Si样品在365 nm、532 nm和808 nm光照下,光电响应分别可达到101 mV,136 m V,190 mV。与TiN/Si以及Si相比,双肖特基结的SrTiO3/TiN/Si异质结在红外、可见、紫外区域的光电响应有着明显的提高;同时在紫外区域的光照位置敏感性也有显著改善;3、研究了沉积氧压对于SrTiO3/TiN/Si异质结光伏效应的影响,结果表明随着沉积氧压的降低,异质结的光生电压明显增加,说明薄膜中的氧空位对于异质结的光伏效应有着重要影响;4、初步制备了以SrTiO3/TiN/Si异质结为探头的光电探测器原型。
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