本文提出了一种等离子体辅助电子束蒸发镀膜的新工艺方法。这种新工艺方法中,通过在自行设计的离化环与坩埚之间加上直流电压,使他们之间产生辉光放电,从而金属蒸气被离化而得到等离子体。基板上加上负偏压,使等离子体中的离子加速射入基体,薄膜与基体间的结合强度从而得到提高。文中测试了不同电极间距及不同蒸发束流条件下的起辉电压和维持稳定放电的最低电压,为后续实验中放电电压参数的选择提供了依据。经过分析比较,选择了电极间距l=50mm作为合适的工艺参数。经过实验发现,离子流随基板负偏压?U增大而增大,当?U在70V及以上变化时,离子流大小变化不大,基板吸收的离子流达到饱和。在基板接收的离子流达到饱和条件下,离子流的大小与电子束束流和放电电压有关。进行了辉光放电的伏安特性测试,结果发现随着放电电压增加,放电电流增加不大,认为放电形式为反常辉光放电。进行了等离子体发射光谱测试,测试了不同放电电压下光谱线的强度变化,结果发现光谱线强度的变化与相同条件下测得的离子流变化具有较好的一致性,并通过分析认为离子流的变化还受基板负偏压的影响,这种影响在基板负偏压值较大时才比较显著。进行了不同工艺参数下的镀膜实验,用划痕法测试了膜基结合强度,结果表明在相同的束流蒸镀条件下,提高离子流或基板负偏压都能提高膜基结合力。