【摘 要】
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该文讨论了GaAs/AlGaAs量子阱光折变材料的电光性质和Raman-Nath衍射条件下的波耦合理论.并且对量子阱光折变材料同其它光折变材料的性能作了比较.在文中还着重讨论了垂直场
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该文讨论了GaAs/Al<,x>Ga<,l-x>As量子阱光折变材料的电光性质和Raman-Nath衍射条件下的波耦合理论.并且对量子阱光折变材料同其它光折变材料的性能作了比较.在文中还着重讨论了垂直场透射式配置下的输运过程、二维输运方程和器件的分辨率问题,指出了界面电荷和体电荷的作用.对垂直场器件结构设计中的一些问题如深能级陷阱和势垒进行了讨论.利用MBE低温生长的半绝缘多量子阱材料,我们首先在国内成功的研制出了垂直场配置的多量子阱光折变器件,并测试了光电性能.在外加30V、100Hz方波电压下,获得了超过1%的衍射效率.对全半导体材料的P-i-n结构垂直场器件进行了初步研制.
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