SiC_P/Al复合材料具有高热导率、高强度、低热膨胀系数、低密度等优异性能,其作为电子封装材料的作用受到众多研究工作者的重视。无压熔渗法作为一种制备含高体积分数SiC复合材料的有效方法,具有制备工艺简单、可近净成形等优点。目前SiC_P/Al复合材料的制备工艺和原理已经研究的比较成熟,但其工业化生产在国内未得到推广,生产的产品性能也与国外有一定的差距,需要进一步提高。本文采用添加Al₂O₃助烧剂来改善SiC颗粒的结合,通过扫描电镜（SEM）、电子散射能谱（EDS）、X射线衍射仪（XRD）等技术分析了添加氧化铝助烧剂对原料处理、预制件制备、熔渗温度、熔渗时间、复合材料的界面反应和物理性能的影响。主要为:（1）研究了HCl和HF的混合酸对SiC粉料中的杂质和颗粒表面氧化层的去除效果;分别将SiC颗粒在1600℃氧气和2050℃氩气中进行高温预处理,分析了SiC颗粒的钝化情况;SiC颗粒预氧化后在颗粒表面生成一层致密的SiO₂薄膜,且SiO₂的结构为方石英;通过自行设计的装置,采用喷雾干燥法向预处理后的SiC粉料中添加亚微米级的Al₂O₃,得到的混合粉均匀性好,无团聚现象。（2）研究了PVA粘结剂的添加量、压制压力和烧结温度对预制件生坯压制、孔隙率和抗弯强度的影响。实验结果表明,粘结剂的添加对预制件生坯的成形性影响较大;压制压力和烧结温度对预制件孔隙率影响较大;莫来石界面结合的预制件相比二氧化硅界面结合的预制件抗弯强度显著提高。（3）基于正交试验研究了Al₂O₃添加量、预制件烧结时间、熔渗温度和熔渗时间对SiC_P/Al复合材料抗弯强度和热导率的影响。实验结果表明,适当添加Al₂O₃能显著提高复合材料的抗弯强度,而对热导率的影响不大。最佳制备工艺为:氧化铝添加量2.0at%,预制件烧结温度1400℃,烧结时间2h,熔渗温度950℃,熔渗时间1h;此外,莫来石界面的生成能有效阻止有害物质Al4C3的生成。制得的复合材料的抗弯强度为344Mpa和热导率为165W·m-1·K-1。最后在总结本文实验结果的基础上,提出了对无压熔渗法制备SiC_P/Al复合材料工业化生产的建议,为国内SiC_P/Al复合材料工业化生产提供技术支持和实验依据。