在众多储能设备中,超级电容器以功率密度高、循环寿命长等优点备受青睐。然而,目前商业化的超级电容器电极材料仍以碳基材料为主,因其比电容值较小,迫切需要发展高导电性、高比电容的先进电极材料。二维纳米材料具有较大的比表面积,更利于电解质离子传输,孔隙结构能够缩短电解质扩散距离,增加电解质与电极材料的接触面积。此外,阴离子缺陷可以通过增加材料的导电性和活性位点提高电容性能。因此,为获得优异的电极材料,本文设计合成具有丰富孔隙、和阴离子缺陷的超薄二维纳米片并研究其超级电容器性能。本文选择导电性较好的NiSe₂作为模型材料,通过溶剂热法合成出层状的NiSe₂-正丁胺无机有机杂化前驱体,采用等离子体干剥离一步制得具有硒缺陷的超薄多孔NiSe₂纳米片(NiSe₂PNS_vac),通过一系列表征方法确定NiSe₂PNS_vac为1.4 nm厚的超薄多孔纳米片,并证实硒缺陷的存在。利用循环伏安法、恒电流充放电法和交流阻抗法研究NiSe₂PNS_vac作为超级电容器电极材料的电化学性能。结果表明,在电流密度为3 A g^-1的1 M KOH电解质中,NiSe₂PNS_vac的比电容为466 F g^-1,远高于NiSe₂超薄纳米片(328 F g^-1)和NiSe₂颗粒(251 F g^-1)。经过1000次循环充放电后,NiSe₂PNS_vac的比电容得到很好的保持,表现出较高的循环稳定性。NiSe₂PNS_vac独特的形貌优势使其导电性提高、比表面积增大、电解质扩散距离缩短,进而展现出优越的超级电容器性能。这为设计制备高性能的超级电容器电极材料开辟了新的途径。