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现代集成电路作为电子信息设备的核心取得了广泛的应用,其稳定性一直得到各界关注。随着现代集成电路工艺特征尺寸的不断缩小,在先进工艺下,使用先进Tri-Gate结构的FinFET器件引入设计和制造,保证了集成电路产业遵循着摩尔定律稳定的发展进步,在这期间,器件结构从大尺寸工艺节点的平面结构变化为全新的三维结构,这种变化伴随着设计和制造工艺的进步,使得之前忽视的单粒子效应对集成电路的影响和损毁不断增加。本论文的重点是基于现代集成电路制造的工艺步骤,通过集成电路计算机工艺模拟,基于已有的部分资料,建立28nm工艺节点Tri-Gate结构N-type的FinFET器件,并基于建立的FinFET器件模型,针对先进工艺下应用广泛的SRAM单元电路进行器件-电路混合仿真,得到各种结构SRAM单元电路在先进工艺节点下对于抗单粒子效应能力的评估,这些结果对于后续针对先进工艺和先进结构的SRAM单元抗单粒子效应加固具有一定的指导意义。本文的主要工作覆盖了:1.本文将使用Synopsys.Inc提供的TCAD工艺套件的SProcess工艺仿真软件,依据已有的部分Fin FET器件工艺参数,建立基于六管SRAM单元电路的25nm沟道长度的N沟道FinFET器件三维器件模型,进行FinFET器件电学性能仿真,并根据TSMC和Toshiba提供的FinFET工艺和电学参数进行模型校正,保证本文建立的FinFET器件的电学性能和后续单粒子效应研究分析的准确性。2.研究不同因素对于FinFET器件的单粒子效应影响,这是后续FinFET器件-电路混合仿真的研究基础。在本文中,分析了FinFET器件不同敏感存储节点,不同外部电压偏置,不同器件外部供电电压对于单粒子效应的反馈和影响。3.进行先进半导体器件-电路混合仿真,在Linux系统上搭建TCAD+SPICE混合仿真平台。混合仿真在控制LET的情况下,分析标准六管SRAM单元电路对于单粒子翻转(SEU)阈值的情况,并通过加强单元电路设计,分析10管延迟SRAM单元电路和双互锁存储结构单元电路等改进型单元电路受到单粒子效应的影响。4.单粒子瞬态(SET)是单粒子效应对于高频集成电路电路影响较大的单粒子效应,本文将通过分析载流子输运情况,针对瞬态脉冲电流台阶效应,分析产生原因,建立对于数学模型,并且拟合对应参数,对于加强先进工艺节点和先进结构器件抗单粒子效应电路级别加固技术的研究有一定的意义。