随着航天技术的发展,可靠性高、寿命长、航天级抗辐射电力半导体器件的需求已经成为更好的发展航天工程的前提。埋栅型静电感应晶体管(SIT)由于其结构独特,器件的抗辐射能力强,因此,能够在宇航、卫星、空间飞行器、洲际导弹等领域得到广泛的应用。论文依托国家自然科学基金项目(No:61366006):《静电感应晶体管源击穿电压的提高与关键工艺研究》展开,深入研究了静电感应晶体管的抗辐射特性,主要包括理论、工艺、辐射对器件的影响以及实验四个方面。一是对静电感应晶体管的基本结构、电流作用机理以及辐照期间发生的光电作用进行理论分析。在此基础上,确定将抗辐射性能优良的埋栅型静电感应晶体管作为本文研究的器件结构。二是论述器件的版图设计与制作工艺。为了在工艺上达到最佳的抗辐射特性,首先,在材料参数、结构参数以及工艺参数之间进行最佳的参数选定。其次,采用L-Edit软件对埋栅型静电感应晶体管的各层版图进行设计。最后,对器件的具体工艺流程进行研究,使得埋栅型静电感应晶体管在工艺上达到了更优良的抗辐射特性。三是论述辐射对SIT的影响。通过对辐射环境以及辐射效应的研究,选择Co60-?射线作为辐照源。并通过对辐射前后的电流分析,采用Silvaco Tcad软件的Atlas模块模拟出辐照前后静电感应晶体管的I-V特性以及沿沟道中心线电子势能的分布变化。在此理论基础上得到辐射对静电感应晶体管的影响。四是对辐射前后SIT的特性测试与分析。在辐射理论的基础上,对静电感应晶体管2SK182E进行总剂量辐射实验,并对辐射前后静电感应晶体管的I-V特性、栅源击穿特性以及频率特性进行相关测试。实际比较和分析出了辐射对静电感应晶体管在电学性能上的影响,这为得到抗辐射能力强的静电感应晶体管做出了实际贡献。