【摘 要】
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近年来,片上集成光波导和谐振器器件引起了研究者的极大的兴趣。利用高折射率对比光波导材料,小体积,高集成度的光学器件已实现在光通信、光互连和光传感微系统中的应用。集成光波导材料应具备的关键性能是高折射率、宽透明波段和低传输损耗。然而目前集成光波导材料包括绝缘体硅、氮化硅、二氧化硅和硫系玻璃存在折射率范围窄,透明波段窄或者半导体工艺不兼容等问题,制约了器件的发展。针对以上问题,本文提出基于Hf O2,
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近年来,片上集成光波导和谐振器器件引起了研究者的极大的兴趣。利用高折射率对比光波导材料,小体积,高集成度的光学器件已实现在光通信、光互连和光传感微系统中的应用。集成光波导材料应具备的关键性能是高折射率、宽透明波段和低传输损耗。然而目前集成光波导材料包括绝缘体硅、氮化硅、二氧化硅和硫系玻璃存在折射率范围窄,透明波段窄或者半导体工艺不兼容等问题,制约了器件的发展。针对以上问题,本文提出基于Hf O2,Zr O2和Ti O2等高K氧化物材料做为红外光波导器件。利用材料高折射率,半导体工艺兼容及宽透明波段的
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