DD/DT强流中子发生器是重要的准单能中子源,可应用于中子照相、核数据测量、中子探测器标定、抗辐射加固及材料辐照等,在科研、医疗、生产与军事领域均有广泛应用价值。兰州大学在研制一台强流中子发生器,预期DD中子产额6×10109)/,DT中子产额6×1012n/s。该中子发生器主要由倍压高压电源、2.45 GHz电子回旋共振（Electron Cyclotron Resonance,ECR）离子源、前分析系统、加速管和旋转靶等几部分组成,ECR离子源产生的强流氘离子束经前分析系统注入400 k V静电加速管,加速后轰击氘靶或氚靶产生中子。本论文围绕6×1012n/s强流中子发生器的离子束需求,完成了ECR离子源与前分析系统的研制。ECR离子源用于为强流中子发生器提供所需离子束,设计目标是引出60 m A氘离子束,调试状态下引出80 m A氢离子束。前分析系统主要作用是分离离子源引出束流中的多原子离子,降低加速管电流负载,提高靶寿命和中子产额,同时调整束流以匹配加速管注入需求,前分析系统束流强度设计指标为输出35 m A D+束或50 m A质子束。主要工作内容如下:完成了一台全永磁ECR离子源束流调试与改进工作。引出孔为6 mm,引出电压为50 k V时,离子源能够引出大于80 m A的氢离子束。离子源可以在较大的进气量（0.5-10 sccm）与微波功率（300-800W）变化范围内工作,引出束流强度峰值一般出现在进气量为1.7-2.0 sccm,微波功率400-700 W之间。放电腔中轴线上磁感应强度接近875 G,微波窗附近磁感应强度较高且存在ECR共振面时,更容易引出较强的离子束。微波窗材质与厚度对引出束流强度和质子比有显著影响,2 mm厚的氮化铝微波窗可以获得更高的引出流强与质子比。针对ECR离子源强直流束引出工作状态下,微波窗易损坏的问题,研究了微波窗在微波、等离子体和回流电子作用下的温度和应力分布。结果表明增强水冷效果可以降低微波与等离子体对微波窗影响,增加陶瓷微波窗表面氮化硼厚度可以降低回流电子束的影响,减小微波窗损坏概率,延长离子源寿命。针对ECR离子源引出区打火问题,总结分析了不同打火现象成因及应对,在此基础上改进了离子源引出系统,降低了引出区打火频率。完成了前分析系统设计,前分析系统可传输80 m A/50 ke V的氢离子束或60m A/50 ke V的氘离子束,能够完全分离束流中的多原子离子并匹配加速管注入需求。前分析系统由螺线管、校正磁铁、分析磁铁、三重四极透镜及真空系统等组成,计算了前分析系统束流传输包络和各磁铁磁场分布。完成了ECR离子源与前分析系统实验平台的搭建和调试。离子源引出氢离子束大于70 m A时,前分析系统末端质子束流强大于50 m A,束流半径小于20mm,可以满足强流中子发生器对束流强度的需求。