【摘 要】
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本文主要研究采用光辅助金属有机化学气相沉积(PA-MOCVD:Photo Assisted Metal Organic Chemical Vapor Deposition)的生长方法生长了ZnO(Zinc Oxide)纳米棒,通过改变光照强
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本文主要研究采用光辅助金属有机化学气相沉积(PA-MOCVD:Photo Assisted Metal Organic Chemical Vapor Deposition)的生长方法生长了ZnO(Zinc Oxide)纳米棒,通过改变光照强度,气体流量等实验条件初步在p-Si(111)面上制备了非掺杂的ZnO纳米棒状结构。利用这种结构制备了n-ZnO/p-Si异质结发光二极管,当正向电压增大到11V时后,电致发光波长覆盖从370nm-550nm波段,发光以蓝绿光为主,利用同样的光照强度,采用改变气体流量同时增加缓冲层的方法制备了具有良好光生伏特效应的结构,在20mW的325nm的He-Cd激光器上,反向3V偏压下,光电流与无光照条件下反向电流强度之比达到1000倍。利用磁控溅射和光辅助金属有机化学气相沉积相结合技术,制成了Si衬底溅射GaAs夹层,并且生长双层ZnO材料,实现了n-ZnO/p-ZnO:As/p-Si结构的ZnO同质PN结发光二极管,7.5V的正向电压下,能够看到紫外电致发光光谱。
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