近几十年来,有机电子器件依其制备工艺简单、造价低廉、有望实现大规模生产、可与柔性衬底兼容等优点,极大的丰富了人们的视野,引起了产业界人士和科学家的高度关注,但有机半导体物理性质不论在理论上还是在实验上都面临着新的挑战,因此有机半导体性质研究是一份十分必要的工作,它有利于推动有机电子器件的快速发展。本论文通过对有机半导体MOS(MOOS)原理的研究,建立了有机MOS C-V数学模型,并利用CuPc、VOPc、C60三种有机半导体材料,采用真空蒸镀的方法,通过优化成膜时衬底温度、沉积速率等条件,制备出了性能优异的单层有机半导体MOS和双层异质结有机半导体MOS器件。利用C-V结电容法,提取了制备的MOS器件的绝缘层厚度、最大耗尽层宽度、掺杂浓度、界面陷阱密度、界面态密度等参数,发现滞后效应、掺杂浓度受频率的影响很小,但高频对C-V曲线的影响非常明显。最后利用所提取的参数和理论模型模拟了有机MOS器件的C-V特性曲线,模拟曲线与实测曲线误差较小,证明了提取的参数和模型的准确性。