本文研究了基片集成波导谐振腔的设计以及耦合馈电结构。具体的工作和贡献如下：(1)微带线与基片集成波导谐振腔双、单端口耦合馈电结构。利用仿真软件，对微带线、微带渐变线耦合馈电结构进行了分析，其中双端口馈电S21达到了0dB。(2)实现了同轴线与基片集成波导谐振腔的耦合馈电。用特性阻抗为75欧姆的同轴线馈电基片集成波导谐振腔，S11达到了-22dB。(3)完成了共面波导与基片集成波导谐振腔的耦合馈电结构。利用共面波导与基片集成波导谐振腔耦合馈电的理论，设计出一个长度为30mm的单模腔。(4)利用本征模计算方法，进行了基片集成波导谐振腔微扰法对材料的电介质常数测量的研究。通过改变基片集成波导谐振腔中待测样品的介电常数，根据谐振频率以及腔体的品质因素的改变，可以计算出样品的介电常数。综上所述，本文完成了基片集成波导谐振腔腔体设计以及馈电结构研究，这些工作可以用来进行微波材料电介质测量。