正负电子致原子内壳层电离截面的测量研究作为原子物理学中的一项基础研究,在理论研究和实际应用领域,都具有十分重要的意义。一方面,精确的正负电子致原子内壳层电离截面有助于正确的理解正负电子与物质原子的相互作用机制,促进理论模型的发展和完善。另一方面,正负电子致原子内壳层电离截面数据在诸多实际应用中不可缺少。虽然关于截面测量的研究一直在持续,但是截止目前,电子致原子内壳层电离截面实验数据依然缺乏,如Se的L壳层。此外,对于最新发展的DWBA理论,存在着不同研究者给出的实验结果与理论模型存在显著差异的现象。因此,这一研究领域仍然需要进行深入的实验研究。本论文研究了ke V能量的电子致Al的K壳层电离截面和Se的总L壳层特征X射线产生截面的测量研究。具体内容如下:(1)测量了2.5keV~20ke V的入射电子致单原子碳层Al靶和薄膜厚碳衬Al靶的的K壳层电离截面,以检验单原子碳层靶用于电子致原子内壳层电离截面的实验研究的可靠性。(2)使用7.8 nm厚的Se薄膜镀在约2 mm厚的碳衬底作为靶样品,测量了3.5ke V~30ke V的入射电子致Se的总L壳层X射线产生截面。(3)考虑到厚衬底对实验结果的影响,本文使用基于蒙特卡罗方法的PENELOPE程序模拟实验过程,以厚衬底对实验测量值的修正因子。实验结果发现,单原子碳层靶可以用于电子致原子内壳层电离截面的实验研究。在误差范围内,DWBA理论值与本文Al的K壳层电离截面的测量值及他人已发表的实验结果符合较好,DWBA理论值与Se的总L壳层X射线产生截面实验结果也符合较好,DWBA理论可以用来描述Al的K壳层电离截面和Se的总L壳层X射线产生截面。其中3.5ke V~30ke V的入射电子致Se的总L壳层X射线产生截面实验数据为国际上首次公布。