【摘 要】
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本论文从理论和实验两方面研究了纳米硅薄膜的光学、电学特性.理论上用单电子隧穿理论研究了纳米硅薄膜的电学特性,用声子限制模型理论研究了纳米硅薄膜的晶格畸变引起的应力
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本论文从理论和实验两方面研究了纳米硅薄膜的光学、电学特性.理论上用单电子隧穿理论研究了纳米硅薄膜的电学特性,用声子限制模型理论研究了纳米硅薄膜的晶格畸变引起的应力问题.实验方面,用一种新方法—低温RF溅射法,在单晶Si衬底上,通过改变工艺参数,在低的衬底温度下,得到了高质量的纳米硅薄膜,并用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、拉曼(Raman)光谱、红外光谱(IR)以及扫描电镜(SEM)、椭圆偏振仪(SE)等方法研究了纳米硅薄膜和纳米硅薄膜太阳电池的结构、光学、电学特性.
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