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本论文综述了凹凸棒石的表面修饰改性、导电高分子材料和导电聚苯胺复合材料的研究进展,并制备了TDI-ATTP和MDI-ATTP粉体、SA-PANI和HCl-DBSA-PANI导电高分子材料、SA-PANI/TDI-ATTP和SA-PANI/MDI-ATTP导电复合材料、HCl-DBSA-PANI/MDI-ATTP和HCl-DBSA-PANI/TDI-ATTP导电复合材料,利用现代测试技术对制得的各种材料进行了微观结构的表征和分析,采用四探针方法研究了其导电率,主要研究内容如下：1基于TDI、MDI中高反应活性的-NCO基团很容易与凹凸棒石(ATTP)结构中的-OH和H20发生反应,以TDI为有机改性剂,对活化后的ATTP进行表面有机化改性,研究得到了制备TDI-ATTP粉体的最优条件,可使TDI与凹凸棒石的反应程度达到57.46%；以MDI为有机改性剂,参照制备TDI-ATTP粉体的最优条件,得到了MDI与凹凸棒石的反应程度达74.15%的MDI-ATTP粉体。采用IR、XRD、TG等方法对粉体TDI-ATTP和MDI-ATTP进行了结构表征,结果表明TDI、MDI对凹凸棒石进行了表面修饰改性。2以十二烷基苯磺酸(DBSA)和盐酸(HCl)为掺杂剂,合成了HCl-DBSA-PANI导电高分子材料,研究得到了HCl-DBSA-PANI的最佳合成条件,HCl-DBSA-PANI的电导率达到0.3525S/cm。在此条件下,采用原位聚合方法制备了HCl-DBSA-PANI/TDI-ATTP和HCl-DBSA-PANI/MDI-ATTP导电复合材料,电导率分别保持在0.3115-0.0172S/cm和0.1335-0.0148S/cm范围内。采用IR, TG、SEM、TEM表征了HCl-DBSA-PANI、HCl-DBSA-PANI/TDI-ATTP、HCl-DBSA-PANI/MDI-ATTP导电高分子材料的结构。3以氨基磺酸(SA)为掺杂剂,合成了SA-PANI导电高分子材料,研究得到了SA-PANI的合成条件,SA-PANI的电导率达到1.5625S/cm。在此条件下,采用原位聚合方法合成的SA-PANI/TDI-ATTP和SA-PANI/MDI-ATTP导电复合材料,电导率分别保持在0.4941-0.0261S/cm和0.6849-0.0232S/cm范围内,并采用IR、XRD、TG、SEM、TEM表征了SA-PANI/TDI-ATTP、SA-PANI-MDI/ATTP和SA-PANI导电高分子材料的结构。