近年来,随着射频微波领域建模研究及仿真工具和技术的发展,国内关于虚拟数字化样机相关大型系统工程在雷达电子对抗及通信系统等领域的研究积累了很多经验。然而微波有源器件高精度模型的建立是困难且耗时的,因此在系统研究中一般采用商业仿真软件自带的理想模型或基于信号流的传递函数模型来模拟射频微波器件的特性,但这些方法缺少对系统非线性产物的精确描述。尤其随着当下射频微系统3D封装的发展,T/R组件内的有源芯片及无源互联结构更加不易在实物中进行测量、调试。因此,研究关于相控阵收发组件的数字化模型是相当重要而且必要的。当下电子产品国产化趋势发展迅猛,相应产业链配套软硬件的深入研究需逐步完善。针对相控阵收发组件系统建模仿真精度不足的问题,本文采用基于S2D模型的精确芯片建模技术去研究T/R组件系统模型,主要研究内容如下:（1）芯片测试方法研究基于微波网络及微波测量的相关理论,采用多端口微波芯片在片测试的技术,在净化间搭建探针台和矢量网络分析仪（VNA）测量系统,针对多端口的功率分配器芯片、含移相衰减放大及开关切换功能的幅相控制多功能芯片（MFC）、含功率放大器（PA）和大功率开关的前端多功能芯片及宽带低噪声放大器芯片（LNA）,进行对应的在片校准及测试,最终获得上述四款芯片的大小信号及噪声、功率等特性的数据。（2）高精度芯片建模研究基于多项式行为模型的相关理论,主要采用S2D模型的建模方法,分别对上述四款芯片进行多端口单芯片大小信号及噪声、功率等特性模型分析。其中功率分配器芯片采用5端口S参数建模技术,将几个实测s3p数据文件合为一个s5p数据文件,得到的模型反射系数、插入损耗（IL）及隔离度（ISO）的精度均小于0.95 d B。因为除无源功率分配器以外的其他几款芯片均含有源放大功能,所以会生成非线性产物,因此采用S2D行为模型建模技术,得到的模型输入/出端口驻波比（VSWR）误差小于0.1 d B,发射支路增益（Gain）误差小于0.6 d B,输出功率(Pout)误差小于1 d Bm,接收支路噪声系数（NF）误差小于0.5 d B。（3）相控阵收发组件数字化系统模型研究基于射频微波电路系统的相关理论,采用系统数据模型的建立方法,将组件数字化模型拆解为有源芯片模型和无源互联结构模型进行研究。采用三维电磁结构建模方法,对T/R组件输入输出的过渡结构进行拆解和分块研究,结合芯片的高精度模型,建立系统级联模型。系统的场路联合仿真结果表明,相控阵收发组件数字化模型更加切合实际样机的立体架构,输出的高精度仿真结果成功预测了实物样机的曲线趋势。在8-12 GHz的工作频段内,在发射支路,输出功率大于35 d Bm,增益大于26 d B;在接收支路,噪声系数小于3 d B,增益大于15 d B。