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氧化钨(WO3)作为一种典型的n型半导体,由于其优异的电学性能和良好的化学稳定性,近年来被广泛应用在气体传感器领域。但是传统的WO3气体传感器往往存在工作温度高、选择性差、灵敏度低等问题,限制了它的实际应用。三维有序大孔(3DOM)结构,由于其相互连通的孔道结构可以提高材料的比表面积,有利于气体的扩散并提供更多的活性吸附位点。本论文通过胶晶模板法制备了 3DOMWO3,通过元素掺杂和贵金属负载的方法进一步改善3DOM WO3对三乙胺的气敏性能。具体研究内容如下:1、通过胶晶模板法成功合成了一系列Cu