用磁控溅射方法制备非晶碳膜/硅异质结及其电输运性质的研究

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本文利用磁控溅射的方法在Si(100)基片上成功沉积了非晶碳膜( a-C ),并对其电输运特性、气压敏感性和气体敏感性进行了较为详细的研究。论文第一部分研究了a-C/Si异质结的电压-电流(I-V)特性及其温度依赖效应。主要结果为:(1)随着外加电场、温度的变化,其I-V曲线将发生明显的变化。当施加较小的正向偏压时,在80~240 K的温度区间,其导电机制主要表现为Ohmic导电机制。然而随着正向偏压的增加,a-C/Si异质结的主要导电机制将由Ohmic转变为Space Charge Li
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