LEC法生长GaP单晶

来源 :长春光学精密机械学院 | 被引量 : 0次 | 上传用户:along_1979
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本文论述了高压液封直拉法的基本原理、发展历史、特点,该法在半导体材料行业的应用及应用中的影响因素,化合物半导体材料磷化镓的概况、高压液封直拉法在制备该材料时的应用。 利用高压液封直拉法制备磷化镓单晶,本文主要讨论以氧化硼作为其覆盖剂,配置合理的温场,添加适当的掺杂量,控制合理的气压及气体,用适当配比的多晶磷化镓料拉制单晶来制备。为了更好的控制单晶的直径,我们还利用了英国MR公司的浮舟控制法,该方法能够有效的控制单晶的直径。使其误差尽可能的小。该实验讨论了各种因素对拉制磷化镓单晶的影响。并确定了一套较优越的拉制方法,制备出了国际上现阶段所能达到的最高水平的低位错单晶。(样片附后)。
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