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铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳电池因为其成本低、性能稳定、抗辐射能力强，高的光电转换效率，被视为最有前途的新能源。如何进一步降低生产成本，提高转化效率成为人们的研究重点。研究发现，高效的CIGS电池大多在窗口层和吸收层之间添加一个缓冲层。现在使用最多的缓冲层是CdS薄膜。本文采用化学水浴法在玻璃基底上制备CdS薄膜，经过不同的退火温度对CdS薄膜进行退火处理。采用扫描电镜（SEM），透射电镜（TEM），能谱仪（EDS），X射线衍射仪（XRD），分光光度计，X射线光电子能谱仪(XPS)来研究不同工艺条件对CdS薄膜性能的影响。在低温制备的CdS薄膜表面颗粒稀疏，当温度在80℃得到的薄膜表面颗粒致密、均匀。薄膜的结晶程度随着水浴温度的升高而增强，薄膜的择优取向明显。因为在低温下沉积的CdS薄膜表面稀疏所以具有较高的透过率。CdS薄膜经过退火后，薄膜表面的颗粒明显长大，变得更加致密。450℃退火后薄膜的表面颗粒局部长大,有大量的白色聚集物。随着退火温度的升高，衍射峰更加明显，衍射峰的半波宽变小，颗粒的尺寸变大，为立方多晶结构。CdS薄膜经过退火后，光学性能得到明显改善，退火后的CdS薄膜中的氧元素的含量变化不大，硫元素缺失严重。改变硫脲浓度对CdS薄膜表面形貌没有太大影响，在硫脲浓度浓度为20mM时，在2θ=26.5°时存在（111）衍射峰。随着硫脲浓度的增加，透过率都在70％左右。当没有醋酸铵时，得到的几乎不是薄膜形态。醋酸铵浓度在2mM时主峰很尖锐，半峰宽很窄。当醋酸铵的浓度为4mM时，CdS薄膜的透光率相对比较低。随着pH值的增加，CdS薄膜颗粒尺寸变大，均匀性变差。pH值为11.6的时候，在2θ=26.5°时存在（111）衍射峰。不同工艺制备的CdS薄膜禁带宽度值都高于理论值2.42（eV)。