本工作利用脉冲激光烧蚀单晶硅靶，在硅衬底和玻璃衬底上沉积了硅纳米微粒。通过扫描电子显微镜（SEM），透射电镜（TEM），X射线衍射（XRD），Raman散射（Raman），光电子能谱（EDS），以及光致发光（PL）等技术，对所沉积的硅基纳米微粒的形貌，成分，晶态结构，发光特性及稳定性进行了分析和表征。研究了几种工艺参数，如气压、激光能量、沉积方式对所制备的硅基纳米微粒的影响。初步讨论了硅基纳米微粒的生长机理及发光机理，并对制备高质量，尺寸及发光可控的硅基纳米材料，以及如何进行有效钝化，以实现该材料的高效稳定发光进行了有益的探讨及尝试。本工作还对激光退火及金属诱导晶化对非晶硅纳米薄膜的影响进行了一系列的研究，得到了一定的规律。研究表明，随着气压山高气压(10^-2Pa)向低气压（10Pa）再向真空(10^-1Pa)的变化过程中，硅微粒产生了由分散分布的硅微粒向密集度增加的团簇变化直至连续成膜的结构变化。挡板的加入及背散射的应用，可以有效减少激光烧蚀产生的大颗粒，使纳米硅材料表面平滑，尺寸分布范围变均匀。激光退火可以有效实现样品从非晶态向晶态的转化，镍的加入降低了晶化的激光能量域值，对于在较低的能量范围内实现晶化，改善薄膜特性有着促进作用。硅纳米微粒晶粒尺寸及稳定性对其发光有着很大的影响，利用氮化硅对其进行钝化后，有效避免了材料在大气中的氧化，提高了材料的发光稳定性，为纳米硅这一发光材料在器件上的应用打下了一定的基础。