YVO₄晶体是一种性能优良的双折射单轴晶体，透光性能好，YVO₄晶体与其它光学晶体相比，具有高的激光损伤阈值和很高的机械性能和化学稳定性，以及泵浦阈值低、激光发射截面大的特点。实验表明，在开发白光LED荧光材料的研究中，稀土掺杂的YVO₄晶体是一种很有实际应用潜力的材料。采用中频感应加热提拉法，在氮气氛围内进行生长Ce:YVO₄晶体，掺杂形式为掺入Ce₂（CO₃）₃。本文主要针对Ce:YVO₄晶体的生长、晶体生长的缺陷以及光谱分析进行了研究。Ce:YVO₄晶体样品的XRD测试和分析的结果表明，YVO₄晶体在掺入Ce³⁺离子后，晶相并没有发生变化，铈元素成功地取代了钇元素的格位。本文首次报道了掺杂稀土铈离子晶体中电荷迁移发光。Ce:YVO₄晶体在325nm光激发下的发射光谱显示的是一个以450nm为中心的宽带发射和一个比较窄的620nm发射峰，这个620nm发光以前尚无人报告。光谱测试和分析的结果表明，Ce:YVO₄晶体的发光可能存在两种发光机制，450nm处的宽带发射是由于Ce³⁺4f→5d的电子跃迁发光，620nm发射峰是由于Ce⁴⁺与配位氧离子之间的电荷迁移发光。氧元素的光电子能谱测试证明Ce:YVO₄晶体中存在两种氧原子。在Ce₂（CO₃）₃掺杂的YVO₄晶体中，铈离子以三价和四价两种形式的离子共同存在，其中，三价铈离子展现了Ce³⁺的本征发光，620nm的红光发射表明，晶体中的Ce⁴⁺与配位氧离子形成了电荷迁移态（CTS）。