氧化物半导体纳米材料的控制合成、性质表征及其生长机理研究

来源 :北京大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yaya_tush
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该论文通过微乳-水热法,选取ZnO、SnO2、AlO(OH)及CdO等化学性质相近的氧化物体系为研究对象,通过调节反应条件如温度、时间、前驱体浓度和种类等,成功地实现了对氧化物纳米晶尺寸和维度的调控.在此过程中,基于对反应热力学和动力学过程的认识,结合电镜观察和对产物的结构表征,对纳米晶的生长过程进行了深入的研究,发现在反应前期,当单体浓度比较高的时候,氧化物纳米晶主要以取向连接的方式生长;而在反应后期,当单体浓度较低的时候,通过Ostwald-ripening过程对取向连接过程中产生的缺陷进行修复.另外,我们还分别对不同形貌的ZnO和SnO2样品的荧光性质及气敏性质进行了研究.该论文利用微乳-水热法成功的实现了对氧化物半导体纳米材料的尺寸和形貌的调控,并提出了取向聚集的生长模型解释了氧化物半导体纳米材料在微乳-水热体系中的生长行为.初步认为,微乳水热法有利于氧化物纳米晶按照取向连接的方式进行生长,因而可以被用来对具有各向异性结构的氧化物纳米晶进行维度调控.通过系统地研究材料尺寸和形貌变化对其性质的影响,进一步认识了材料的性质与其微结构的关系.
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