本论文采用自制的电絮凝装置处理含Cd（II）废水，分别研究了各影响因素对Cd（II）去除效果的影响及其吸附动力学；进一步考察了共存阴离子对Cd（II）去除效果的影响及其机制。在此基础上，探讨了电絮凝方法去除Cd（II）的机理。具体研究内容和结论如下：　　考察了电流密度、电荷密度、pH、Cd（II）初始浓度对Cd（II）去除效果的影响，结果表明：电流密度、电荷密度、pH、Cd（II）初始浓度是影响Cd（II）去除的重要因素。在电流密度为4.20~44.66 mA/cm2范围内，电絮凝处理Cd（II）其最高去除率可达到99.75％，在电流密度达到17.87 mA/cm2以上，电流密度对Cd（II）去除率的影响趋于稳定。与电流密度相比，电荷密度作为电絮凝的条件参数可能更科学。在pH为5~9时，pH值越高，除镉效果越好。在Cd（II）初始浓度为5~20 mg/L范围内，随着Cd（II）初始浓度的增加，电絮凝对Cd（II）的去除效果下降，电絮凝处理后废水中Cd（II）最低浓度可降至0.03 mg/L。　　考察了共存阴离子对Cd（II）去除的影响，研究发现、磷酸根、硅酸根离子在浓度为0到20 mg/L范围内对Cd（II）去除存在抑制作用，抑制机理为竞争性吸附，而碳酸根基本没有影响。对电絮凝过程去除废水中Cd（II）抑制作用显著，且浓度越大，抑制作用越明显，但其并不影响溶液中总铁和亚铁的生成。磷酸根离子浓度与镉去除率呈负相关，且磷酸根离子浓度越大，Cd（II）去除率越低。硅酸根离子在pH为7时，存在着少量硅酸盐，其与铁氧化物的结合，占据了Cd（II）的结合位点从而影响了电絮凝对Cd（II）的去除，但是几乎所有的硅酸盐都以不带电荷的H2SiO3（＞99.8％）的形式存在，很难通过电性中和作用吸附在铁氧化物的表面上，因而硅酸根离子对Cd（II）的去除仅表现为微弱的抑制作用。　　电絮凝处理含Cd（II）废水过程符合拟一级动力学，拟合程度较好。运用法拉第定律和溶液中总铁、亚铁的测定证明，电絮凝过程中Fe(s)首先被电解成　　Fe2+(l)，然后被氧化、水解生成Fe(OH)3(s)。对电絮凝产物进行XRD、FTIR分析表明：沉淀样品表面没有镉酸铁晶体生成，镉在氢氧化铁表面可能是以双配位络合的形式存在，Cd-O键以配位键的形式与Fe形成Cd-O-Fe键。