【摘 要】
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近年来,移动通信迅猛发展,使无线电通信频带成为一个有限而宝贵的自然资源。因此它们需要更大的无线频谱宽度和向高频方向发展。声表面波器件正是以高频的特点得到了国内研究人员的关注。AlN作为压电材料可以实现声信号和电信号之间的转变。另外,AlN薄膜的最大优势就是其声速是在所有无机非铁电性压电材料中最快。因而成为高频表面波和体波的首选材料。本文采用射频反应磁控溅射的方法在硅衬底上沉积AlN薄膜。主要研究了
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近年来,移动通信迅猛发展,使无线电通信频带成为一个有限而宝贵的自然资源。因此它们需要更大的无线频谱宽度和向高频方向发展。声表面波器件正是以高频的特点得到了国内研究人员的关注。AlN作为压电材料可以实现声信号和电信号之间的转变。另外,AlN薄膜的最大优势就是其声速是在所有无机非铁电性压电材料中最快。因而成为高频表面波和体波的首选材料。本文采用射频反应磁控溅射的方法在硅衬底上沉积AlN薄膜。主要研究了溅射压强、衬底温度、溅射功率等参数对薄膜结构性能的影响,进一步优化了沉积高c取向的AlN薄膜
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