基于SOI微环谐振腔的可调谐外腔半导体激光器研究

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随着光通信技术的快速发展,半导体激光器作为光源,在光纤通信系统和光交换系统中有着重要的地位。外腔激光器相比于普通半导体激光器,其线宽更窄,波长调谐范围更宽,有较小的啁啾,具有优良的光谱特性,所以一直是研究热点。本课题中提出了基于热调谐微环谐振腔的外腔半导体激光器,主要介绍了热调谐微环谐振腔和外腔准直光路的设计。本文中首先介绍了微环谐振腔的基本理论和传输函数,以及固体传热理论,详细分析了SO1波导的模场分布。硅材料具有较大的热光系数,能够很好地应用于热调谐,以此设计了热调谐级联双环谐振腔。本文分析了热调谐级联双环谐振腔的性能,其利用游标效应增加了波长漂移范围,增大了热调谐范围及热调谐效率。接着详细介绍了热调谐级联双环谐振腔的制作工艺流程,制作主要分为级联双环谐振腔和微加热器两个部分,详细介绍了电子束光刻、刻蚀、薄膜沉积、接触式光刻等工艺;接着介绍了端面耦合的芯片测试平台搭建和测试流程,测试了单环和双环谐振腔的输出端透射谱曲线。最后详细介绍了自聚焦透镜的特性。利用两个自聚焦透镜建立准直光路,将热调谐级联双环谐振腔和FP腔组合连接,建立外腔激光器,其可以实现窄线宽输出。
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