论文部分内容阅读
目前,半导体领域中,已有的半导体材料和技术的研究已经达到了物理临界点,新的技术突破迫在眉睫。近年来,在非易失性随机存取存储器(NRAM)领域中发展微纳米级的金属-半导体-金属(MSM)体系已成为一项非常重要的技术,并越来越受到各界的关注。PbS是一种重要的半导体材料,由于其带隙宽度是0.41eV,并且有较大的激子波尔半径(18nm),所以PbS有很多优良的光学和电学性能,被广泛的应用于非线性光学器件、红外探测器和显示器中。本实验中,我们将PbS微纳米线应用到阻变式存储器和压阻式存储器中,并详细的研究