阳极氧化法制备4H-SiC纳米阵列与结构调控及其光电特性

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SiC是典型的第三代半导体材料,具有宽禁带、高热导率、高电子饱和漂移速率、高临界击穿场强、以及良好的化学稳定性等优异特性,在研发高频、高温、高压、抗辐照以及大功率等苛刻服役条件下的光电器件,具有显著优势。SiC低维纳米结构,不仅拥有其传统体材料的本征物理特性,还兼具纳米材料的独特优势,在研发新颖高效的半导体器件,展现出良好的应用前景。SiC纳米阵列结构制备,是其器件化应用的重要基础之一。然而当前已有的制备方法,绝大部分需要在高温高压等条件下进行,导致了其材料制备难于调控且重复较差等问题。因此,探索在
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金属纳米材料因其独特的光学、电学、生物、催化和化学性质引起了科学工作者的广泛关注。其中,钯纳米材料由于具有量子尺寸效应、表面效应、体积效应及宏观量子隧道效应等性质已广泛应用于传感器、生物医学、环境化学以及催化等多种领域。钯纳米材料的性质与其粒径大小、形貌和载体材料有着重要关系,因此发展制备小粒径的钯纳米颗粒并将其负载在比表面积较大的载体上的新方法和开展其应用研究已成为研究热点之一。鉴于此,本学位论
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