该文在国内率先对陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳电池制作中的区熔再结晶技术进行初步研究,取得多项成果.研究了不同种类的陶瓷衬底材料对多晶硅薄膜质量的影响.发现ZrO<,2>材料的导热性太差,影响材料表面的生长温度,导致硅膜比较疏松.而在Al<,2>O<,3>和AlN衬底上沉积的硅膜结构致密、晶粒大,同时晶体内部的晶界、杂质对硅的影响小,方块电阻小,适合作区熔再结晶研究.研究了陶瓷衬底区熔温度对硅膜再结晶质量的影响.发现适当降低聚焦加热灯强度、提高衬底加热温度可以降低固化前沿温度梯度,从而降低亚晶界等缺陷密度.并给出了区熔仪器的各项优化参数.研究了陶瓷衬底材料晶粒大小和结构对硅膜区熔再结晶效果的影响.发现颗粒较小、结构致密的衬底材料,能得到较好的硅膜区熔效果;而颗粒较大、结构疏松的衬底材料,区熔后收球厉害,硅膜散开,效果不好.对区熔后的硅膜结构和电学性质进行了研究.发现区熔后薄膜有明显的〈111〉择优取向.薄膜电阻率下降一个量级,载流子浓度提高近一个量级,霍尔迁移率仍有提高.说明区熔可以有效减少晶界,提高薄膜质量.经过区熔以后在Al<,2>O<,3>和AlN陶瓷衬底上得到了晶粒大小超过100×1000μm,有明显择优取向的多晶硅薄膜.在该多晶硅薄膜上进行电池试制,发现经过区熔以后短路电流明显提高.并成功地在国际上首次制备出AlN陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳电池.