铌酸锂是集电光、压电、非线性以及光折变效应于一体的优良光学晶体,具有“光学硅”的美誉,在信息存储、光波导器件、倍频转换、Q开关等许多方面有着广泛的应用。光散射是伴随光折变出现的现象,扇形散射光在某些光折变器件中是有用的,比如自(互)泵浦相位共轭器、光学功率限制器及双稳态光学器。但是,光散射在信息存储中会导致输出图像失真或数据质量欠佳,其也给倍频、Q开关等光学器件的制造带来困难。故而需研究铌酸锂晶体的光散射行为,探求影响光散射的各个因素,从而能够寻找有效的方法来调控光散射。基于此,本论文主要研究晶体在不同参数下的光散射行为。首先,研究了温度对晶体的光致散射行为的影响。我们系统地测量了不同掺杂和不同锂组分晶体在20~°C到200~°C温度范围内的光致散射曲线以及同成分掺铁铌酸锂晶体在液氮温度下的光致散射曲线,对实验结果进行了分析和拟合。基于饱和折射率模型和形成噪音栅的空间电荷的缓慢复合模型,解释了晶体的光致散射曲线的演化趋势。基于光激载流子通过面电导在样品表面发生的周期性复合和重建,解释了在同成分掺铁铌酸锂晶体光致散射曲线中的“自我补偿”阶段出现的“尖峰”。基于质子氢的激活(85~°C)和质子氢浓度的不同,解释了在近化学计量比掺铁和同成分铁铪双掺铌酸锂晶体光致散射曲线中发现的“散射加速”效应以及近化学计量比掺铁铌酸锂晶体中“散射加速”效应的光强阈值效应。其次,研究了泵浦光强及泵浦光偏振态对晶体的光致散射行为的影响。实验证明,随着异常光泵浦光强的增大,光折变增强,伴随光折变的光致散射也增强。通过对晶体在异常光和寻常光入射下得到的液氮温度下的散射曲线做拟合,我们发现,异常光入射时散射结果符合双指数拟合,而寻常光入射时满足单指数拟合。最后,搭建了光致散射全角度扫描实验平台,用于测量散射光强的空间角分布。将光散射作为测量晶体参数的一种技术,比如光生伏达场、扩散场等。