本论文以未掺杂氧化锌作为氧化锌薄膜晶体管的半导体活性层。氧化锌是一种直接宽带隙(常温带隙为3.37eV)透明氧化物半导体。使氧化锌薄膜晶体管在可见光范围内具有80%以上的透射率、在可见光照射下不产生额外光生载流子、无需加掩膜层,光敏退化性不严重、而且可提高薄膜晶体管的开口率。另外,该材料具有生长温度低、抗辐射能力强、化学稳定性好的特点,利于提高氧化锌薄膜晶体管的稳定性和可靠性。氧化锌的迁移率很高,提高了氧化锌薄膜晶体管的电学性质。本论文针对氧化锌薄膜晶体管研究的热点问题,在氧化锌薄膜晶体管的制备和器件的制作方面做了一些有意义的探索,主要在以下几个方面取得了一些成果:(1)利用热氧化法生长的二氧化硅表面更加致密、均匀性更好,从而大大的增加了介电常数,对杂质扩散的掩蔽能力强、钝化效果好,而且利用热氧化法生长的二氧化硅击穿电压在50V左右,起到了很好的电介质作用。(2)利用光刻技术制备了氧化锌薄膜晶体管的源极和漏极。通过对光刻技术的摸索,提高了光刻的成功率,解决了氧化锌薄膜晶体管电极制备的工艺问题。(3)利用分子束外延(MBE)的方法大大改善的氧化锌薄膜的晶体质量,采用MBE的方法生长的氧化锌晶粒尺寸的大小很均匀约为15nm,而且表面很平,晶体缺陷较少,并且出现了氧化锌薄膜晶体管的I-V特性。