(InNb)0.1Ti0.9O2单晶生长及其介电性质的研究

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【摘要】

：

(InNb)_(0.1)Ti_(0.9)O_2不仅具有高介电常数和低介电损耗,而且温度稳定性良好,因此被视为一种有望替代传统介电材料的新型巨介电材料。但是关于巨介电常数的产生机理尚未明确,且两种主流理论——缺陷偶极矩模型和晶界阻挡层模型本质不可调和,因此制备高质量、大尺寸(InNb)_(0.1)Ti_(0.9)O_2单晶对于探究巨介电常数产生机理具有重要意义。另一方面TiO2作为一种常见母体材料,

【作者】

：

刘子儀

【机构】

：

哈尔滨工业大学

【发表日期】

：

2016年06期

【关键词】

：

缺陷二氧化钛浮区法介电材料

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