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新一代封装技术COF(Chip On Flex or Chip On Film)封装由于其满足短小轻薄发展趋势,成为平板显示器驱动IC封装的主要方式之一。COF封装模块的重要组成部分—COF挠性基板的需求日益增加,目前国内COF挠性基板供应商很少,仅仅处于探索研究阶段。驱动IC集成度提高使I/O端的间距趋于微细,这就要求COF挠性基板的线宽线距与驱动IC封装相适应。因此,超精细线路COF挠性基板成为研究热点。本论文主要针对单面COF挠性基板小批量生产、双面COF挠性基板精细线路样品制作工艺进行了大量的研究工作,并取得以下成果:表面处理工艺性能方面:通过对目前常用表面处理工艺(过硫酸盐/硫酸体系、双氧水/硫酸体系和棕化液体系)性能进行对比,发现三种表面处理工艺效果都可以满足COF基板的生产要求。片式减成法工艺制作单面COF基板研究:通过基材尺寸稳定性测试,证明课题中所使用的基材满足COF挠性基板生产要求。通过对杜邦RISTON FX-915和FX-930干膜性能进行研究,选择FX-915干膜作为光致抗蚀剂。对玻璃菲林制作精细线路工艺参数进行了正交优化试验,得到最佳工艺参数:曝光级数5级、显影速度1.8m/min、蚀刻线速度3.3-3.5m/min、喷淋压力2.1-2.5kg/cm2。半加成法工艺制作COF基板研究:对双氧水/硫酸蚀刻液的性能进行了研究,找出蚀刻速度与浓度、温度的关系曲线,为半加成法差分蚀刻提供参考。为了获得便宜的超薄铜箔覆铜板,对12μm铜箔厚度基材进行蚀刻减薄工艺研究,发现微蚀刻减薄后表面均匀性要明显优于蚀刻减薄。双面COF基板孔金属化研究:对比后选择等离子清洗和黑孔化工艺。双面COF挠性基板精细线路制作研究:研究液态抗蚀剂的性能,对应用液态光致抗蚀剂制作精细线路的工艺参数进行正交优化试验,得到了最佳的工艺参数组合:曝光级数5级,显影速度2.1m/min,蚀刻速度4.0m/min,蚀刻压力3.0kg/cm3。小批量试制单面COF挠性基板:根据上面大量的关键技术预研工作,将上述成果应用于小批量生产过程中,成功试制出了精细线路单面COF挠性基板,最小线宽线距为25μm/25μm,各项行业测试表明,该COF挠性基板完全符合行业标准。