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以透明导电氧化物为背电极的双面入射光CIGS薄膜太阳电池，由于半透光特性，可以广泛用于巴士候车亭、火车站和飞机场的太阳能顶棚和天窗，同时，可用于多结的叠层电池等。然而，透明导电膜与CIGS吸收层之间的整流结接触，损害了电池的电流输出性能。本文对Zn0：Ga/CIGS接触问题进行了分析和解决，利用Zn0：Ga/MoSe2背电极制备了双面入射光CIGS薄膜太阳电池。
论文首先概述了能源的发展史和太阳电池的发展历程，以及CIGS薄膜太阳电池的研究历程，详细介绍了双面入射光CIGS薄膜太阳电池的研究成果。接着，介绍了所采用的双面入射光CIGS薄膜太阳电池的器件结构及每层薄膜的沉积工艺，以及半导体薄膜表征所涉及的测试手段。
之后，对玻璃上的Mo薄膜以及Zn0：Ga上Mo的硒化工艺，比如衬底温度、掺钠工艺等，进行了探索和优化，并将MoSe2引入到Zn0：Ga/CIGS的界面处，研究了该中间层对Zn0：Ga/CIGS接触特性的影响。
最后，我们分别用Zn0：Ga和Zn0：Ga/MoSe2背电极，制备了CIGS电池，并对其在AM1.5太阳模拟器下，进行了电流-电压特性的测试，并测试了相对量子效率。对改善电池性能的因素进行了比较和分析，提出了改进的措施。