论文部分内容阅读
ITO薄膜被认为是光电综合性能最优的透明导电氧化物薄膜之一,其在工业上也有广泛的应用,但是ITO薄膜的原料金属铟资源稀少,因此近年来,研究者一直在寻找ITO薄膜的替代品,ZnO掺杂系列薄膜以其优异的性能成为ITO薄膜的最佳替代品。本实验采用低含量的铟和镓共掺杂ZnO制备出高密度的IGZO靶材,并运用射频磁控溅射法在改变基底温度、溅射时间、溅射功率、靶基距、溅射气压的条件下制备出一系列IGZO薄膜,运用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔效应仪(Hall-effect device)