论文结合兰州大学微电子研究所承担的省科技攻关项目——《电力静电感应器件SID的研制》,围绕静电感应晶体管STT,静电感应晶闸管SITH的制作而展开,全面地展现了功率SIT、SITH的制造特点。 论文系统地阐述了SIT、SITH的作用理论,侧重介绍了SIT的结构、Ⅰ-Ⅴ特性、电流传输机制及沟道势垒的形成。在此理论基础上,结合器件制造的特点,对器件的相关参数进行了讨论分析,并给出了具体的定值。 实验以制备优良电性能SIT为出发点,结合SITH制作的经验和存在的问题,设计了新的版图和工艺流程,并通过大量的实验,对部分工艺条件进行了调整。 为了在尽量提高击穿BV_GSO(BV_GKO)的同时,能够保证良好的Ⅰ-Ⅴ特性,我们做了大量的实验。如槽、台刻蚀等。通过对试制管芯的测试,基本电性能有了明显的改善,说明了我们的制作方案是合理的、可行的。