【摘 要】
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碳化硅(SiC)材料生成设备的性能,对于材料质量具有重要影响。本文从SiC材料研究需求出发,对已有的SiC材料的外延设备进行理论模拟及技术改进。首先介绍了SiC材料及制备方法,
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碳化硅(SiC)材料生成设备的性能,对于材料质量具有重要影响。本文从SiC材料研究需求出发,对已有的SiC材料的外延设备进行理论模拟及技术改进。首先介绍了SiC材料及制备方法,重点是高温化学气相沉积原理及设备构造,以及国内国际相关设备关键技术的发展状况；其次分析了现有的高温化学气相沉积设备热传导中存在的问题,并进行了模拟分析,提出了改进方案,给出了相关改进结果；然后对设备改进前的流场进行模拟,提出改进方案并实施,对改进后的方案进行了实验研究。利用化学反应模块结合流体动力学模块、传热／辐射模块,揭示了不同工艺参数条件下混合物的分布规律,提出合理工艺设计,最后通过实验测试对结果进行了验证。
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