【摘 要】
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该文用射频偏压磁控溅射法在水冷绦纶脂胶片(PPA)上制备出了最低电阻率为3.4×10Ωcm、透过率为80﹪的InO:SnO(ITO)及电阻率为3.78×10Ωcm、透过率为80﹪的ZnO:Al(AZO)透明导电
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该文用射频偏压磁控溅射法在水冷绦纶脂胶片(PPA)上制备出了最低电阻率为3.4×10<-4>Ωcm、透过率为80﹪的In<,2>O<,3>:SnO<,2>(ITO)及电阻率为3.78×10<-3>Ωcm、透过率为80﹪的ZnO:Al(AZO)透明导电膜,研究了薄膜的光电性质对掺杂浓度及淀积工艺参数的依赖关系;以柔性衬底的ITO膜为基底用电共沉积法淀积了Al<,x>Ga<,1-x>As和In<,x>Ga<,1-x>As,研究了通过调节工艺参数改变样品中Al或In的含量,从而达到改变薄膜的禁带宽度及载流子跃迁机制的目的,为制备全塑可折迭太阳电池进行了有益的探索;并以柔性衬底的ITO及AZO膜为透明电极,用蒸发及旋涂的办法制备出了OLED器件,研究了器件工作机制、发光光谱及工作寿命.
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