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石墨烯是一种新型的二维单原子层结构的碳纳米材料,由于其突出的电子、光学性质,例如反常量子霍尔效应,克莱因隧穿,镜面Andreev反射,最小电导率等,引起人们的强烈关注和深入研究。石墨烯中的Dirac电子服从相对论性的无质量Dirac方程,在紧束缚近似结构下,可通过对布里渊区中特殊点K和K’处的泰勒展开获得。石墨烯器件通常生长在某种物理介质上,例如,二氧化硅、氧化铝等绝缘基板上,由于晶格匹配的问题,往往产生应力,本文正是基于这种实际情形下的考量,对理想的单层石墨烯中的电子哈密顿量做了各向异性的修正,本