现有的铜粉复合物导电性能一般都较差，主要有两方面的原因:一方面是铜粉表面易氧化形成氧化层，削弱了铜粉自身的导电能力;另一方面是分散于基体中的铜粉颗粒与颗粒之间接触面积非常小，接触电阻较大所致。鉴于此，本文试图在铜粉表面包覆低温的Sn-Bi合金层，如此不仅能够保护铜粉不被氧化，包覆在铜粉颗粒表面的低温合金层在受热时还会融合，增大铜粉颗粒间的接触面积，从而提高导电性能。　　首先，我们研究了不同的还原剂（水合肼与硼氢化钠）与不同铋盐与锡盐反应的难易程度以及影响反应的关键因素，然后选择以氧化铋与氢氧化锡为原料，硼氢化钠为还原剂制备了Sn-Bi合金。经DSC与XRD测试分析表明，制备的合金为锡铋低共熔体(Sn57Bi43)。在化学法制备合金的基础上，我们进一步改进工艺，在3.5μm球形铜粉表面实现了Sn-Bi合金层的包覆，并研究了Sn/Bi包覆顺序、反应温度以及反应时间对包覆效果的影响。最后，将包覆铜粉与高分子基体（PVP、环氧树脂、丙烯酸树脂）复合制成导电浆料，研究铜粉包覆前后浆料导电能力的变化，并探讨了不同的高分子基体种类对浆料与PET薄膜基材的粘接效果、铜粉在基体中的分散状态、浆料稳定性能以及导电性能的影响。