HT-7装置中低杂波电流驱动时电子热输运的研究

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本文对HT—7托卡马克低杂波电流驱动时的电子热输运进行了分析和研究。研究了中心电子温度随电子密度的变化情况,电子温度与低杂波功率之间的关系,以及能量约束时间与低杂波功率和电子密度之间的关系。通过数据分析,在一般情况下,低杂波电流驱动时,其约束都是L—模。在优化等离子体放电参数和低杂波参数时,我们得到当等离子体电流Ip=220KA,等离子体中心弦平均密度ne=1.5×1019m-3,低杂波输入功率PLHW=330kW时,低杂波的功率沉积离轴,电流分布离轴,该现象的发生有利于电子的加热,而离子通过与电子的碰撞有效地得到加热。电子和离子的热输运在等离子体半径0.2-0.6处产生了输运垒,且低杂波驱动电流和自举电流达到了70%的份额。该结果也说明该参数下电子和离子在等离子体中是耦合的。
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