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有机光电子器件以其原料易得，廉价，选材范围宽广，制备工艺简单，环境稳定性高，轻可折叠等优点，具有广泛的应用前景。本论文主要针对有机光电子器件中最受关注的有机太阳能电池（organic photovoltaic,OPV）和有机电致发光器件（organic light emitting diodesOLED）作为研究对象。本论文采用MoO3作为P型掺杂剂，掺入pentacene当中，作为P型掺杂阳极缓冲层，采用共蒸pentacene和MoO3（比例因子为4:1）的方式制备基于P型掺杂的有机光电子器件，来改善器件的性能，做了如下的研究：首先以pentacene作为阳极缓冲层，来提高OPV的性能。实验中制备了ITO/pentacene（xnm）/CuPc （（30-x） nm）/C60（50nm）/Bphen（8nm）/Al（100nm）,当pentacene厚度为5nm时，相比没有pentacene层的器件，效率从0.89%增加到1.02%，这主要是因为pentacene有优良的空穴传输，并且对阳极有修饰作用，从而改善了OPV的性能。为了进一步改善器件的性能，我们引用了P型掺杂的机制,将MoO3掺入pentacene中来改善载流子的传输能力和降低阳极与有机界面处的接触电阻,并且由于P型特性，增加了空穴密度且提高了电荷的收集效率，从而提高了OPV的性能。与氧化钼作为缓冲层和并五苯作为缓冲层的CuPc/C60异质结的OPV相比，5nm MoO3掺入pentacene作为阳极缓冲层的OPV在开路电压、能量转换效率、短路电流密度显著的提高了。短路电流密度达6.62mA/cm2,开路电压达0.413V,填充因子达0.527，能量转换效率达1.44%,与以pentacene作为阳极缓冲层的器件相比转换效率增加了41%。然后,我们又首先以pentacene作为阳极缓冲层制备了磷光OLED器件，制备如下器件:ITO/pentacene（x nm）/NPB（（40-x）nm）/CBP（3nm）/CBP:Ir（ppy）3（30nm）/Bphen（30nm）/LiF（0.8nm）/Al；其中CBP:Ir （ppy）3（8%），x=0nm,1nm,3nm,10nm。当pentacene的厚度为1nm时，器件的性能最好，电流效率达23.43cd/A,功率效率达9.82lm/W。然后我们又采用MoO3掺入pentacene作为阳极缓冲层制备了磷光OLED器件，制备如下器件:ITO/pentacene:MoO3（x nm）/NPB（（40-x）nm）/CBP（3nm）/CBP:Ir（ppy）3（30nm）/Bphen（30nm）/LiF（0.8nm）/Al；其中CBP:Ir （ppy）3（8%），x=0nm,5nm,10nm,20nm。加入pentacene掺杂MoO3作为缓冲层之后，降低了空穴注入势，提高了空穴注入效率，与没有MoO3掺入pentacene作为缓冲层的器件相比，开启电压降低，仅为3.5V,在驱动电压为6V左右就达到1000cd/m2,当电压为10V，最高亮度就可以达到32460cd/m2。当pentacene掺杂MoO3层的厚度为5nm时，驱动电压为4V时器件的电流效率为30.66cd/A，最高功率效率达27.52lm/W。与没有MoO3掺入pentacene作为缓冲层的器件相比电流效率提高了大约48%。