光盘记录介质相变过程研究

来源 :北京航空航天大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kentxp
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该文比较详细地论述了新型静电场传感器的工作原理,对ICVDMOS-AMP器件进行了理论解剖,从器件的内部结构电容特征为出发点论述了器件具有存储电荷的能力;从而找到对ICVDMOS器
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