一种采用带阻尼因子动态调制强型密勒补偿的LDO电路

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LDO的稳定性是LDO电路的一个关键的指标。LDO必须在不大稳定的(合理的起伏)直流输入电压下产生恒定的输出电压,用作其他电路的电源电压。因此,稳定性是其工作的首要前提。为了防止系统频率高到一定程度LDO发生振荡,需要对其进行频率补偿。密勒补偿是经典的补偿方法。但受负载变化范围和芯片面积的制约,其补偿作用仍然有限。Rincon Mora提出了一种增强型密勒补偿的电路,通过电流放大和电压放大的共同作用,增加了有效电容,缩小了补偿电容所占用的芯片面积并允许LDO驱动更大的电容负载。但是这种结构的弊端在于其增益-频率曲线容易出现共振峰,甚至出现右半平面极点,使电路出现振荡。本文基于0.5 CMOS工艺,利用Cadence EDA设计工具,在分析线性稳压器工作原理的基础上,设计了一种LDO电路,输入电压范围为2.5-5.5V,dropout voltage低至0.35V@600mA输出。电路典型应用的电容小至1uF,允许的Resr范围宽至1m欧-1欧。电路的PSRR在1kHz达到65dB,噪声小至30uVrm.本文设计的LDO电路的技术特色是:采用带阻尼因子动态调制的增强型密勒补偿,使LDO在从空载到满载(600mA)的范围内都能稳定。整体电路采用winbond 0.5u DBDM CMOSI艺库进行设计,经HSPICE仿真验证达到了所设定的指标。根据电路设计绘制芯片版图,通过DRC、LVS验证,完成了整体设计。最后通过具体投片,封装,测试,验证了电路的性能,达到预期目标。本文设计的低漏失线性稳压器芯片,工作温度范围-40℃-125℃;输出电压精度:误差1.5%在600mA输出电流下,Dropout Voltage:0.25V@600mA
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