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随着超大规模集成电路的特征线宽不断减小,导致信号传输延时、功耗增大以及互连阻容耦合增大等问题,为了解决这一问题,多孔低(超低)k介电材料越来越引起人们的注意。研究表明,由等离子体强化化学气相沉积(PECVD)制备的SiCOH薄膜由于其优良的性能而受到人们的青睐。降低SiCOH薄膜的介电常数,通常采用两种途径,一是降低分子极化率,二是通过引入孔隙来降低薄膜密度。本文采用环结构的有机硅源作为反应源,通过氧掺杂来提高薄膜的孔隙率,进一步降低薄膜的介电常数。本文研究了O掺杂对十甲基环五硅氧